Samsung DDR5 SODIMM 8GB  DIMM UNB 5600 1Rx16, 1.1V M425R1GB4BB0-CWM

Samsung DDR5 SODIMM 8GB DIMM UNB 5600 1Rx16, 1.1V M425R1GB4BB0-CWM

Артикул:M425R1GB4BB0-CWM
Код товара:629225500
К сравнению
Activate to Precharge Delay (tRAS):-
Нормальная операционная температура (Tcase):-
Общий объем памяти (ГБ):8
Количество чипов на модуле:-
Габариты (мм):-
Расширенная операционная температура (Tcase):-
rusName:[Модуль памяти] Samsung DDR5 SODIMM 8GB DIMM UNB 5600 1Rx16, 1.1V M425R1GB4BB0-CWM
Потребление энергии:-
Линейка:-
сайт производителя:http://www.samsung.com/
Под заказ (запрашивайте)
3 000 0
Товара не оказалось в наличии?
Подпишитесь на уведомление о поступлении!
c2468ab27d9e3682f2c46f2d145a2366
Описание
Оперативная память M425R1GB4BB0-CWM от Samsung
Activate to Precharge Delay (tRAS)
Нормальная операционная температура (Tcase)
Общий объем памяти (ГБ)
Количество чипов на модуле
Габариты (мм)
Расширенная операционная температура (Tcase)
rusName
Потребление энергии
Линейка
сайт производителя
Производитель
Вес (грамм)
Количество модулей в комплекте (шт)
Пропускная способность (МБ/с)
гарантия
Высота (мм)
Поддержка ECC
Поддержка водяного охлаждения
CAS Latency (CL)
Тип модуля
Радиатор
Низкопрофильная
Количество контактов
Подсветка
Производитель
Row Precharge Delay (tRP)
Дополнительная информация
описание
Модель
Объем одного модуля (ГБ)
manufacturerCountry
название
Напряжение (В)
RAS to CAS Delay (tRCD)
Тайминги
Тип оборудования
gtdNumber
Чип
Частота (MHz)
Поддержка Reg